Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD

dc.contributor.authorКовальчук, И.К.
dc.contributor.authorЛевенец, В.В.
dc.contributor.authorОмельник, А.П.
dc.contributor.authorЩур, А.А.
dc.contributor.authorШироков, Б.М.
dc.date.accessioned2016-04-18T07:08:49Z
dc.date.available2016-04-18T07:08:49Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractМетод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица.uk_UA
dc.description.abstractМетод ХРВ и деконволюційна процедура на основі алгоритму максимальної правдоподібності була використана для неруйнівного 3D дослідження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом CVD. Показано що розроблена технологія дозволяє вивчати локальний розподіл елементів і визначати профілі концентрації Ge до глибини біля 20 мкм для даного конкретного сполучення елемент-матриця.uk_UA
dc.description.abstractMethod PIXE and deconvoluted procedure on the basis of algorithm of the maximum likelihood has been applied for not destroying 3D researches of samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It is shown, that the developed technology allows to study local distribution of elements and to define structures of concentration Ge up to depth about 20 microns for the given concrete combination a defined element-matrix.uk_UA
dc.identifier.citationИзучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc539.1.074.55
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизическая инженерия поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleИзучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVDuk_UA
dc.title.alternativeВивчення властивостей плівок сплаву Si-Ge на пучці протонів, отриманих методом CVDuk_UA
dc.title.alternativeStudying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVDuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
8-Kovalchuk.pdf
Розмір:
303.69 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: