Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГорев, Н.Б.
dc.contributor.authorКоджеспирова, И.Ф.
dc.contributor.authorПривалов, Е.Н.
dc.date.accessioned2014-01-14T22:48:05Z
dc.date.available2014-01-14T22:48:05Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractРазброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой".uk_UA
dc.identifier.citationПрогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52968
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleПрогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAsuk_UA
dc.title.alternativeПрогнозування розбіжності параметрів польових транзисторів з бар'єром Шоткі на GaAsuk_UA
dc.title.alternativePrediction of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor parameter spreaduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Gorev.pdf
Розмір:
113.24 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, № 4