Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition

Abstract

This article present‘s researching results of ion implantation Ta in Cu monocrystal with different plane. Also the article demonstrates the processes of ion mixing and deposition of ions Ta+ and Cu+ on polycrystalline Al substrate. Effect of crystalline plane line was found. At the same implantation dose the dose at surface layer is different. Possibilities of the simultaneous ion implantation Ta and Cu and deposition on Al substrate are showed. It causes good corrosion resistance, microhardness increasing of the surface layers.

Встатье представленырезультаты исследований процессов ионной имплантации Ta в монокриcталле Cu с различной плоскостью. А также процессы ионного перемешивания и осаждения ионов Ta+ и Cu+ на подложку c поликристаллического Al. Обнаружено влияние направления кристаллической плоскости и то, что при одинаковой дозе имплантации в поверхностном слое внедренная доза разная. Показаны возможности одновременной имплантации ионов Ta и Cu и осаждения на подложку из Al, что приводит к хорошей коррозионной стойкости, увеличению микротвердости поверхностных слоев.

У статті представлені результати дослідження процесів іонної імплантації Ta у монокристали Cu з різними площинами. А також процеси іонного змішування і осадження іонів Ta+ і Cu+ на підкладинку з полікристалічного Al. Виявлено вплив напряму кристалічної площини і те, що при однаковій дозі імплантації в поверхневому шарі імплантована доза різна. Показані можливості одночасної імплантації іонів Ta та Cu і осадження на підкладинку з Al, що сприяє хорошій корозійній стійкості та підвищенню мікротвердості поверхневих шарів.