Thermochemical etching of sapphire in CO+H₂ gas atmosphere

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKaltaev, Kh.Sh.-ogly
dc.contributor.authorSidelnikova, N.S.
dc.contributor.authorDan`ko, A.Ya.
dc.contributor.authorBudnikov, A.T.
dc.contributor.authorNizhankovsky, S.V.
dc.date.accessioned2018-06-14T15:53:30Z
dc.date.available2018-06-14T15:53:30Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.citationThermochemical etching of sapphire in CO+H₂ gas atmosphere / Kh.Sh.-ogly Kaltaev, N.S. Sidelnikova, A.Ya. Dan`ko, A.T. Budnikov, S.V. Nizhankovsky // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 3. — С. 395-400. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135134
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectTechnologyuk_UA
dc.titleThermochemical etching of sapphire in CO+H₂ gas atmosphereuk_UA
dc.title.alternativeТермохімічна обробка сапфіру у газовому середовищі, що містить CO та H₂uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
21-Kaltaev.pdf
Розмір:
2.9 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Functional Materials, 2010, № 3