Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГаджиев, Э.М.
dc.contributor.authorГусейнов, Я.Ю.
dc.contributor.authorИсмайлов, Н.М.
dc.contributor.authorКасимов, Ф.Д.
dc.date.accessioned2014-11-15T10:46:28Z
dc.date.available2014-11-15T10:46:28Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractИсследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.315.592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70837
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectКачество. Надежностьuk_UA
dc.titleВлияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структурuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
05-Gadzhiev.pdf
Розмір:
203.99 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 2