Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГаркавенко, А.С.
dc.contributor.authorМокрицкий, В.А.
dc.contributor.authorБанзак, О.В.
dc.contributor.authorЗавадский, В.А.
dc.date.accessioned2016-05-22T11:47:45Z
dc.date.available2016-05-22T11:47:45Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractПри облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.uk_UA
dc.description.abstractПри опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. У цій статті наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.uk_UA
dc.description.abstractThere is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier.uk_UA
dc.identifier.citationИонизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 51-56. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.otherDOI: 10.15222/TKEA2014.2.51
dc.identifier.udc535.14:621.365.826
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100466
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы электроникиuk_UA
dc.titleИонизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: экспериментuk_UA
dc.title.alternativeІонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина друга: експериментuk_UA
dc.title.alternativeIonization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experimentuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Garkavenko.pdf
Розмір:
306.27 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014, № 5-6