Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЕмцев, П.А.
dc.date.accessioned2014-02-15T19:04:59Z
dc.date.available2014-02-15T19:04:59Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractМетодика определения параметров малосигнальной модели транзистора позволяет при минимальном количестве исходных данных получить модель, пригодную для практического применения.uk_UA
dc.identifier.citationМалосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 49-51. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56303
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectИнтегральные схемы и полупроводниковые приборыuk_UA
dc.titleМалосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителейuk_UA
dc.title.alternativeМалосигнальна модель транзистора в розробленні НВЧ-підсилювачів з малим рівнем шумівuk_UA
dc.title.alternativeSmall signal transistor model for microwave low noise amplifier developmentuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
14-Emets.pdf
Розмір:
216.26 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004, № 6