Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorChumakov, V.I.
dc.date.accessioned2015-05-29T07:28:09Z
dc.date.available2015-05-29T07:28:09Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractThe linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal dependencies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.uk_UA
dc.identifier.citationDegradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading / V.I. Chumakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 3. — С. 96-98. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc621.382
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82375
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectРlasma Dynamics and Plasma-Wall Interactionuk_UA
dc.titleDegradations of semiconductor devices under pulsed heat overloadinguk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
27-Chumakov.pdf
Розмір:
153.34 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 3