Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP

Abstract

Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p⁺-InP шару, легованого цинком, призводить до збігу металургійної та електричної гетеромеж, що обумовлю є реалізацію ефекту «широкозонного вікна» на спектрах фоточутливості гетеропереход ів. Проаналізовано еволюцію спектрів електролюмінесценції гетеропереход ів залежно від технологічних режимів їх вирощування і показано можливість їх використання для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з λmax = 1,06 мкм.

The effect of technological regimes of growing of double heterojunctions p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP by LPE on their photovoltaic properties is investigated. It is shown that growing of additional buffer layer of n-InP on n-InGaAsP and reducing the growth time of emitter p⁺-InP layer doped with zinc leads to match metallurgical and electrical heterojunctions, which makes the implementation of «wide-window» effect in the photosensitivity spectra of heterojunctions. The evolution of electroluminescence spectra of heterojunctions is analyzed, depending on thechnological regime of growth and possibility of using them to create efficient IR LED with λmax = 1,06 microns is shown.