Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках

dc.contributor.authorБаранський, П.І.
dc.contributor.authorГайдар, Г.П.
dc.date.accessioned2015-07-11T19:47:43Z
dc.date.available2015-07-11T19:47:43Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.citationВизначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках / П.I. Баранський, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2012. — № 10. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn1025-6415
dc.identifier.udc621.315.592.3
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/84640
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавничий дім "Академперіодика" НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofДоповіді НАН України
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФізикаuk_UA
dc.titleВизначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідникахuk_UA
dc.title.alternativeОпределение параметра анизотропии термоэдс увлечения в многодолинных полупроводникахuk_UA
dc.title.alternativeDetermination of the anisotropy parameter of thermoelectromotive-drag in multivalley semiconductorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
11-Baranskii.pdf
Розмір:
166.71 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: