Photothermal analysis of heterogeneous semiconductor structures under a pulse laser irradiation

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBurbelo, R.
dc.contributor.authorIsaiev, M.
dc.contributor.authorKuzmich, A.
dc.date.accessioned2017-05-31T19:09:33Z
dc.date.available2017-05-31T19:09:33Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractThe analysis of photothermal conversion in materials with modified properties of surface layer was made in this work. Influence of both physical and geometrical nonlinearities on the process of heat distribution was estimated.uk_UA
dc.identifier.citationPhotothermal analysis of heterogeneous semiconductor structures under a pulse laser irradiation / R. Burbelo, M. Isaiev, A. Kuzmich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 403-405. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 61.80.Ba, 78.20.Nv
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118844
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titlePhotothermal analysis of heterogeneous semiconductor structures under a pulse laser irradiationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
16-Burbelo.pdf
Розмір:
206.72 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 4