Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол

Abstract

Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з поглинанням у плівці ХСН в області краю міжзонних переходів. Показано, що новий фотостимульований ефект дає змогу реалізувати фотолітографічний процес (у тому числі процес інтерференційної фотолітографії) на шарах ХСН, відпалених за температури, близької до температури розм’якшення халькогенідного скла, шляхом одночасного експонування та селективного протравлювання таких шарів. Обговорюється можливий механізм фототравлення ХСН.

It is found the photoinduced enhancement in solubility of annealed films of chalcogenide glasses (ChG) in amine-based selective etchants. With increasing of irradiation intensity the rate of the films etching rises, and its spectral dependence correlates with absorption of ChG films in the spectral range near absorption edge. The new photoinduced effect allows realize a photolithography (including the process of interference photolithography) on the ChG layers, annealed near the glass-transition temperature, by the simultaneous exposure and selective etching of such layers. The possible mechanism of photo-induced etching of ChG films is discussed.