Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка

Abstract

Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности.

Представлено спосіб створення гетеропереходів з напівпровідииків з різним типом решітки. На підкладках, виготовлених із шаруватих кристалів GaSe та InSe, відпалених у парах Zn, , отримано гетеропереходи n-ZnSe-p-CaSe та n-ZnSe-p-InSe, фоточутливі в ближній інфрачервоній і видимій областях спектру. Спосіб відкриває широкі можливості виготовлення гетеро структур із заданою смугою чутливості.

The article presents a method of creating heterojunctions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe-p-GaSe and n-ZnSe-p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photosensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up great possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band.