Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe

Abstract

Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію металів (адгезивний шар — струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольт-амперні характеристики контактів Mo—Au і Mo—In до епітаксійних шарів р-CdHgTe демонструють лінійний характер як при кімнатній температурі, так і при Т = 80 К.The technological features of the formation of two-layer metal contacts to discrete detectors for the infrared and terahertz spectral bands made on the basis of epitaxial layers of CdHgTe grown on CdZnTe substrates by the liquid phase epitaxy method are given. The optimal combination of metals (adhesive layer — conductive layer), which creates an ohmic contact to the p- and n-types of CdHgTe in the process of discrete detectors manufacturing by the planar technology is found. Measured current-voltage characteristics of the Mo—Au and Mo—In contacts to the epitaxial layers of p-CdHgTe show a linear behavior both at room temperature and at T = 80 K.Приведены технологические особенности формирования двуслойных металлических контактов к дискретным приемникам инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии. Найдено оптимальную комбинацию металлов (адгезивный слой — токопроводящий слой), которые создают омический контакт к p- и n-областям CdHgTe в процессе изготовления дискретных детекторов по планарной технологии. Измеренные вольт-амперные характеристики контактов Mo—Au и Mo—In к эпитаксиальным слоям р-CdHgTe демонстрируют линейный характер как при комнатной температуре, так и при Т = 80 К.