Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКасимов, Ф.Д.
dc.contributor.authorЛютфалибекова, А.Э.
dc.date.accessioned2014-11-13T06:05:22Z
dc.date.available2014-11-13T06:05:22Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractМоделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 13-15. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.315.592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70781
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЭлектронная аппаратура: исследования, разработкиuk_UA
dc.titleВлияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзистореuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
04-Kasimov.pdf
Розмір:
119.72 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002, № 4-5