Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si

Abstract

Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою роботи є виготовлення фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур МoN/n-Si, визначення бар’єрних параметрів та домінуючих механізмів струмоперенесення через отриману гетероструктуру при прямому та зворотному зміщеннях, дослідження фотоелектричних властивостей та причин втрат фотогенерованих носіїв заряду в отриманих гетероструктурах.

Предмет и цель работы. Предметом исследований являются электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры МoN/n-Si, полученной путем напыления тонкой пленки нитрида молибдена (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические пластины кремния n-типа проводимости. Целью работы является изготовление фоточувствительных поверхностно-барьерных структур МoN/n-Si, определение барьерных параметров и доминирующих механизмов токопереноса сквозь полученную гетероструктуру при прямом и обратном смещениях, исследование фотоэлектрических свойств и причин потерь фотогенерированных носителей заряда в полученных гетероструктурах.

Subject and purpose. The subject of research is the electrical and photoelectric properties of the МoN/n-Si heterostructure fabricated for the first time by means of the deposition of thin film of molybdenum nitride (n-type conductivity) by the reactive magnetron sputtering onto single crystal substrates of n-type Si. The purpose of the work is to fabricate the photosensitive MoN/n-Si surface-barrier structures, determine the barrier parameters and dominant mechanisms of current transfer through the obtained heterostructure at direct and reverse biases, investigate the photoelectric properties and causes of losses of photogenerated charge carriers in the obtained heterostructures.