Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ

Abstract

Обнаружено уменьшение плотности критического тока Jc тонкой пленки YBa₂Cu₃O₇₋x после ее облучения электронами с энеpгией 4 МэВ. Показано, что температурная зависимость Jc согласуется с представлением о гранулярной структуре пленки с межгранульными контактами типа сверхпроводник- металл-диэлектрик-сверхпроводник.

A decrease in the critical current density Jc of a YBa₂Cu₃O₇₋x thin film is observed after its irradiation by 4-MeV electrons. It is shown that the temperature dependence of Jc agrees with the idea of a granular structure of the film, with intergranular contacts of the superconductor–metal–insulator–superconductor type.