Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения

Abstract

Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi₂Te₃<Cu>, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период кристаллизации между слоями Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ и в дефектных центрах, перпендикулярно поверхности кристалла (0001), которое завершается образованием диссипативных наноструктур. Установлено, что наиболее значительно изменяются термоэлектрические свойства кристаллов, легированных индием.

Досліджено зміну термоелектричних властивостей кристалів Bi₂Te₃<Cu>, легованих вісмутом та індієм, під час їх зберіганн я. Показано, що це пов'язано з самовільним перетіканн ям атомів Cu, які осіли в початковий період кристалізації між шарами Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ та в дефектн их цент рах, перпендикулярно поверхні кристала (0001), яке завершується утворенн ям дисипативних наноструктур. Встановлено, що найбільш істотн о змінюються термоелектричні властивості кристалів, легованих індієм.

The authors investigate the change in the thermoelectric properties of Bi₂Te₃<Cu> crystals doped by bismuth and indium during their storage. It is shown that such change is caused by the spontaneous overflow of Cu atoms deposited during the initial crystallization period between Te⁽²⁾-Bi and Bi-Te⁽²⁾ layers, and in defect centers perpendicularly to the surface of the crystal (0001), which culminates in the formation of dissipative nanostructures. It was found that thermoelectric properties of crystals doped with indium undergo the most significant change.