Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГаврилюк, О.О.
dc.contributor.authorКлименко, В.Є.
dc.contributor.authorСемчук, О.Ю.
dc.date.accessioned2019-02-19T08:44:29Z
dc.date.available2019-02-19T08:44:29Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractДосліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами.uk_UA
dc.description.abstractInvestigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method.uk_UA
dc.description.abstractИсследована температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл–диэлектрик–полупроводник на высоких частотах. Фазометрическим методом исследован импеданс встроенного канала беcкорпусного планарного полевого транзистора с двумя изолированными затворами.uk_UA
dc.description.sponsorshipАвтори вдячні Н.С. Кравчук за пліднео бговорення та Я.М. Гнелиці за допомогу у проведенні експериментальних досліджень.uk_UA
dc.identifier.citationТемпературна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn2617-5975
dc.identifier.udc537:539
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/148893
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherІнститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofПоверхность
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТеория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхностиuk_UA
dc.titleТемпературна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідникuk_UA
dc.title.alternativeTemperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structuresuk_UA
dc.title.alternativeТемпературная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл-диэлектрик-полупроводникuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
4-Gavrilyuk.pdf
Розмір:
256.74 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Поверхность, 2012, вип. 4 (19)