Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"

dc.contributor.authorКовалюк, З.Д.
dc.contributor.authorКатеринчук, В.Н.
dc.contributor.authorСидор, О.Н.
dc.date.accessioned2014-01-21T20:19:44Z
dc.date.available2014-01-21T20:19:44Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractПоказана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".uk_UA
dc.identifier.citationИсследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53524
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleИсследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"uk_UA
dc.title.alternativeДослідження фотоелектричних властивостей симетричної гетероструктури "окисень-InSe-окисень”uk_UA
dc.title.alternativeInvestigations of the photoelectrical properties of symmetrical oxide-InSe-oxide heterojunctionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
10-Kovaliuk.pdf
Розмір:
132.78 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: