Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКостин, Е.Г.
dc.contributor.authorДемчишин, A.В.
dc.date.accessioned2014-01-01T21:53:48Z
dc.date.available2014-01-01T21:53:48Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractРассмотрена возможность контроля условий получения стехиометрических пленок TiN и TiO₂ по спектральным характеристикам плазмы магнетронного разряда и по изменению разрядного напряжения.uk_UA
dc.identifier.citationОсаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления / Е.Г. Костин, A.В. Демчишин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 47-51. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52448
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleОсаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыленияuk_UA
dc.title.alternativeОсадження плівок TiN та TiO₂ в оберненому циліндричному магнетроні методом реактивного розпиленняuk_UA
dc.title.alternativeDeposition of the TiN andTiO₂, films in the inverted cylindrical direct-current magnetron by a reactive sputteringuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
12-Kostin.pdf
Розмір:
242.72 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 4