Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКунченко, В.В.
dc.contributor.authorАксенов, И.И.
dc.date.accessioned2015-03-12T20:11:21Z
dc.date.available2015-03-12T20:11:21Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractПриведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посвящена изучению роли добавки ацетилена в формировании свойств получаемых покрытий. Показана перспективность практического применения получаемых таким способом покрытий.uk_UA
dc.identifier.citationФормирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc533.9
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78214
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФизика радиационных и ионно-плазменных технологийuk_UA
dc.titleФормирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциалаuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
33-Kunchenko.pdf
Розмір:
672.21 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 4