Доменная модель аномального сопротивления плазмы

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОрешко, А.Г.
dc.date.accessioned2015-05-18T12:22:42Z
dc.date.available2015-05-18T12:22:42Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractПоказано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена ампер-вольтная зависимость для катодной плазмы в магнитно-изолированном диоде ускорителя.uk_UA
dc.identifier.citationДоменная модель аномального сопротивления плазмы / А.Г. Орешко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc533.9
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81598
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectРелятивистская плазменная элeктрoникаuk_UA
dc.titleДоменная модель аномального сопротивления плазмыuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
03-Oreshko.pdf
Розмір:
1.9 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 1