Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОлих, Я.М.
dc.contributor.authorЛисюк, И.А.
dc.contributor.authorТимочко, Н.Д.
dc.date.accessioned2014-02-01T21:28:28Z
dc.date.available2014-02-01T21:28:28Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractНа модельных образцах нейтронно-легированного Се испытана оригинальная методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука.uk_UA
dc.identifier.citationАкустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge / Я.М. Олих, И.А. Лисюк, Н.Д. Тимочко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 10-13. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54421
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleАкустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Geuk_UA
dc.title.alternativeАкустостимульоване зниження температури відпалу радіаційних дефектів у кристалах Geuk_UA
dc.title.alternativeAcoustostimulated decrease the annealing temperature of radiation defects in the Ge crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
03-Olikh.pdf
Розмір:
163.88 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004, № 3