Фазовые переходы, баро- и магниторезистивные эффекты в манганит-лантановой керамике и лазерной пленке La₀.₆Mn₁.₄O₃±δ

dc.contributor.authorПащенко, В.П.
dc.contributor.authorШтаба, В.А.
dc.contributor.authorВарюхин, В.Н.
dc.contributor.authorПащенко, А.В.
dc.contributor.authorШемяков, А.А
dc.contributor.authorЖихарев, И.В.
dc.contributor.authorДьяконов, В.П.
dc.contributor.authorКлимов, А.В.
dc.contributor.authorШимчак, Г.
dc.date.accessioned2020-04-21T18:02:28Z
dc.date.available2020-04-21T18:02:28Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractИсследовано влияние температуры (Т = 77–350 K), напряженности магнитного поля (Н = 0–8 kOe) и высокого гидростатического давления (ВГД P = 0–1.8 GPa) на электросопротивление ρ манганит-лантановых керамических и пленочных образцов La₀.₆Mn₁.₄O₃, которые были аттестованы рентгеноструктурным и ЯМР-методами. Вблизи температуры фазового перехода металл−полупроводник (Tms) обнаружены магнито- и барорезистивные эффекты (МРЭ, БРЭ). Показано, что увеличение Н и P приводит к уменьшению ρ и соответственно к увеличению МРЭ и БРЭ керамических и пленочных образцов. Определена энергия активации электропроводности в полупроводниковой области для исследуемых образцов. Сравнительно низкие значения энергии активации объяснены высокой дефектностью кристаллической решетки манганит-лантановой перовскитовой структуры. Близкий к линейному характер барической зависимости сопротивления позволяет использовать манганит-лантановые образцы в качестве датчиков давления.uk_UA
dc.description.abstractThe influence of temperature (Т = 77–350 K), magnetic field strength (Н = 0–8 kOe) and high hydrostatic pressure (Р = 0–1.8 GРa) on electrical resistance ρ of ceramic and film manganite-lanthanum samples La₀.₆Mn₁.₄O₃ was investigated. The samples have been tested by X-ray diffraction and NMR methods. Magneto- and baroresistive effects (MRE, BRE) were revealed near the temperature point of metal−semiconductor phase transition (Tms). It was shown that the increase in H and P decreases ρ and, consequently, increases MRE and BRE for ceramic and film samples. The activation energy of electrical conductivity for semiconductive area was defined for the investigated samples. The low values of the activation energy were explained by high defects of the crystal lattice of perovskites and by the co-existence of several mechanisms of conductance. Almost linear character of the pressure dependence of resistance makes it possible to use the manganite-lanthanum samples as pressure gauges.uk_UA
dc.identifier.citationФазовые переходы, баро- и магниторезистивные эффекты в манганит-лантановой керамике и лазерной пленке La₀.₆Mn₁.₄O₃±δ / В.П. Пащенко, В.А. Штаба, В.Н. Варюхин, А.В. Пащенко, А.А. Шемяков, И.В. Жихарев, В.П. Дьяконов, А.В. Климов, Г. Шимчак // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 4. — С. 25-34. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0868-5924
dc.identifier.otherPACS: 73.61.−r, 75.50.Lw, 62.50.+p
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168095
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherДонецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика и техника высоких давлений
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleФазовые переходы, баро- и магниторезистивные эффекты в манганит-лантановой керамике и лазерной пленке La₀.₆Mn₁.₄O₃±δuk_UA
dc.title.alternativeФазові переходи, баро- і магніторезистивні ефекти у манганіт-лантановій кераміці та лазерній плівці La₀.₆Mn₁.₄O₃±δuk_UA
dc.title.alternativePhase transitions, baro- and magnetoresistive effects in manganite-lanthanum ceramics and laser-deposited La₀.₆Mn₁.₄O₃±δuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
04-Pashhenko.pdf
Розмір:
446.27 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: