Divergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon plates

dc.contributor.authorTkach, V.N.
dc.date.accessioned2017-06-07T12:24:52Z
dc.date.available2017-06-07T12:24:52Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractA Kossel chamber for reflected-beam X-ray studying of single crystal surfaces has been developed on the basis of a BS-340 scanning electron microscope. We have examined the structure of a disturbed layer of silicon plates after chemico-mechanical polishing. The intensity of X-ray reflection from the lattice planes intersecting a polished surface of a plate characterizes the perfection degree of the disturbed layer, is of a periodic nature and exhibits a tendency to damp deep within the plate.uk_UA
dc.identifier.citationDivergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon plates / V.N. Tkach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 36-38. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 61.10.N, 61.66, 68.35.B
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119563
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleDivergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon platesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
06-Tkach.pdf
Розмір:
272.17 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: