Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSeyidov, М.Yu.
dc.contributor.authorSuleymanov, R.A.
dc.contributor.authorAcar, E.
dc.contributor.authorОдринский, А.П.
dc.contributor.authorМамедов, Т.Г.
dc.contributor.authorНаджафов, А.И.
dc.contributor.authorАлиева, В.Б.
dc.date.accessioned2017-06-07T18:49:25Z
dc.date.available2017-06-07T18:49:25Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractMетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.uk_UA
dc.description.abstractMетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму.uk_UA
dc.description.abstractUndoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been establisheduk_UA
dc.identifier.citationФотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0132-6414
dc.identifier.otherPACS 61.44.Fw, 77.80.B–, 77.80.–e
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119644
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectКвантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектрикахuk_UA
dc.titleФотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантанаuk_UA
dc.title.alternativePhotoelectrical properties of defects in La-doped TlInS₂ layered crystaluk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-МirHasan.pdf
Розмір:
511.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Физика низких температур, 2014, № 09