Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛеонов, Н.И.
dc.contributor.authorЛемешевская, А.М.
dc.contributor.authorДудар, Н.Л.
dc.contributor.authorГетьман, С.Н.
dc.date.accessioned2014-01-14T22:56:15Z
dc.date.available2014-01-14T22:56:15Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractОпределены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора.uk_UA
dc.identifier.citationОптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52971
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleОптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистораuk_UA
dc.title.alternativeОптимизація виготовлення високовольтного горизонтального р-канального МОН-транзистораuk_UA
dc.title.alternativeThe high-voltage lateral p-channel MOStransistor making optimizationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
11-Leonov.pdf
Розмір:
105.03 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, № 4