Утворення пустот в запорошеній плазмі
dc.contributor.author | Кравченко, О.Ю. | |
dc.contributor.author | Чутов, Ю.І. | |
dc.contributor.author | Юрчук, М.М. | |
dc.date.accessioned | 2017-01-08T16:40:04Z | |
dc.date.available | 2017-01-08T16:40:04Z | |
dc.date.issued | 2003 | |
dc.description.abstract | Проводиться комп’ютерне моделювання еволюції одновимірного пилового шару, що знаходиться в необмеженій аргоновій плазмі. Для дослідження використовуються гідродинамічні рівняння для пилових частинок та іонів, а також рівноважне наближення для електронів. В результаті проведених розрахунків одержані просторові розподіли плазмових параметрів у різні моменти часу. Показано, що в ряді режимів пилові частинки зосереджуються в тонких шарах, що розділяються областями, де пилові частинки практично відсутні. При збільшенні концентрації нейтральних частинок ефект зникає внаслідок дії сили тертя між пиловими частинками та нейтральною компонентою плазми. В залежності від концентрації плазми пилові частинки можуть розширюватись чи відбувається їх стискання силою іонного вітру. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Утворення пустот в запорошеній плазмі / О.Ю. Кравченко, Ю.І. Чутов , М.М. Юрчук // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 221-225. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1562-6016 | |
dc.identifier.udc | 533.9 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111156 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Вопросы атомной науки и техники | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Газовый разряд, ППР и их применения | uk_UA |
dc.title | Утворення пустот в запорошеній плазмі | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 49-Kravchenko.pdf
- Розмір:
- 358.48 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: