Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЁдгорова, Д.М.
dc.contributor.authorКаримов, А.В.
dc.contributor.authorГиясова, Ф.А.
dc.contributor.authorСаидова, Р.А.
dc.date.accessioned2014-01-07T19:13:44Z
dc.date.available2014-01-07T19:13:44Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractПредлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.uk_UA
dc.identifier.citationКомбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52817
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleКомбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵uk_UA
dc.title.alternativeКомбінований спосіб вирощування епітаксійних шарів напівпровідникових сполук А³В⁵uk_UA
dc.title.alternativeCombined way of cultivation of epitaxial layers of semiconductor connections А³В⁵uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
14-Edgorova.pdf
Розмір:
103.44 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007, № 3