Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorLitvinova, M.B.
dc.contributor.authorShutov, S.V.
dc.contributor.authorShtan`ko, A.D.
dc.contributor.authorKurak, V.V.
dc.date.accessioned2018-06-14T13:27:13Z
dc.date.available2018-06-14T13:27:13Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractInfluence of Cd and Se atoms on the quantum efficiency of photon emission through EL2 defects in gallium arsenide single crystals has been investigated. A comparative technique of impurity diffusion in vacuum and arsenic atmospheres has been used. The change character and extent of the photon emission quantum efficiency have been established to be defined by vacancy structure of crystal that is due most likely to formation of EL2-dopant complexes.uk_UA
dc.identifier.citationRadiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide / M.B. Litvinova, S.V. Shutov, A.D. Shtan`ko, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 3. — С. 538-541. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/135018
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleRadiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenideuk_UA
dc.title.alternativeВипромінювальна рекомбінація через центри EL2 у монокристалах арсеніду галію, легованих селеном і кадміємuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
34-Litvinova.pdf
Розмір:
245.73 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Functional Materials, 2006, № 3