Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев

dc.contributor.authorДранчук, С.Н.
dc.contributor.authorЗавадский, В.А.
dc.contributor.authorМокрицкий, В.А.
dc.date.accessioned2014-02-15T23:29:42Z
dc.date.available2014-02-15T23:29:42Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractНа основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верхней и нижней подложках, с учетом различия механизмов переноса кристаллизуемого вещества.uk_UA
dc.description.abstractНа основі розробленої авторами моделі масопереносу запропоновано новий метод епітаксії товстих шарів. Метод передбачає вирощування різних частин шарів в двошарових системах, одержуваних з розчину-розплаву, і дозволяє контролювати товщину підплавлення підкладок і товщину шарів, отриманих на верхній та нижній підкладках з урахуванням відмінностей механізмів перенесення речовини, що кристалізується.uk_UA
dc.description.abstractOn the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and the thickness of layers obtained at the upper and lower substrates, in consideration of different crystallized substance transport mechanisms.uk_UA
dc.identifier.citationМетод жидкофазной эпитаксии толстых слоев / С.Н. Дранчук, В.А. Завадский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 58-60. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.362:621.383
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56321
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы электроникиuk_UA
dc.titleМетод жидкофазной эпитаксии толстых слоевuk_UA
dc.title.alternativeМетод рідиннофазної епітаксії товстих шарівuk_UA
dc.title.alternativeThick layers liquid-phase epitaxy methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
09-Dranchuk.pdf
Розмір:
162.45 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: