Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов

dc.contributor.authorБасанец, В.В.
dc.contributor.authorСлепокуров, В.С.
dc.contributor.authorШинкаренко, В.В.
dc.contributor.authorКудрик, Р.Я.
dc.contributor.authorКудрик, Я.Я.
dc.date.accessioned2016-05-22T14:24:41Z
dc.date.available2016-05-22T14:24:41Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractИсследовано удельное сопротивление омического контакта Au—Ti—Pd—n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100—360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9—2)•10⁻⁵ Ом•см². При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100—200 К преобладает полевой механизм токопереноса, в диапазоне 200—360 К — термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ.uk_UA
dc.description.abstractДосліджено питомий опір омічного контакту Au—Ti—Pd—n-Si і механізм струмопротікання в інтервалі температур 100—360 К. Запропоновано спосіб зменшення похибки визначення питомого контактного опору на основі аналізу статистичних залежностей виміряних величин. Виміряні значення питомого контактного опору знаходяться в діапазоні (0,9—2,0)∙10⁻⁵ Ом∙см². На основі температурної залежності питомого контактного опору встановлено, що в омічному контакті з висотою бар'єру 0,22 еВ в температурному діапазоні 100—200 К переважає польовий механізм струмопротікання, в діапазоні 200—360 К — термопольовий з енергією активації 0,08 еВ.uk_UA
dc.description.abstractBoth contact resistivity of Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100—360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9—2)•10⁻⁵ Ω•cm²). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100—200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200—360 K temperature range.uk_UA
dc.identifier.citationИсследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов / В.В. Басанец, В.С. Слепокуров, В.В. Шинкаренко, Р.Я. Кудрик, Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.otherDOI: 10.15222/TKEA2015.1.33
dc.identifier.udc538.91
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100476
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleИсследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодовuk_UA
dc.title.alternativeДослідження питомого опору омічних контактів Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролітних діодівuk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
05-Basanets.pdf
Розмір:
652.03 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: