Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЯцуненко, А.Г.
dc.contributor.authorКовтонюк, В.М.
dc.contributor.authorИванов, В.Н.
dc.contributor.authorНиколаенко, Ю.Е.
dc.date.accessioned2014-01-23T00:08:31Z
dc.date.available2014-01-23T00:08:31Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractНа основе специально разработанного слаботочного диода Ганна, работающего в диапазонах длин волн 42—53 ГГц и 56—65 ГГц, усовершенствованы аппараты КВЧ-терапии.uk_UA
dc.identifier.citationСлаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов / А.Г. Яцуненко, В.М. Ковтонюк, В.Н. Иванов, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53575
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectИнтегральные схемы и полупроводниковые приборыuk_UA
dc.titleСлаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратовuk_UA
dc.title.alternativeСлабкострумові діоди Ганна на основі арсеніду галія для НВЧ-апаратівuk_UA
dc.title.alternativeLow current Gunn diodes on a basis GaAs for EHF-devicesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
13-Yatsunenko.pdf
Розмір:
165.3 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 3