Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКаримов, А.В.
dc.contributor.authorЁдгорова, Д.М.
dc.contributor.authorЯкубов, Э.Н.
dc.date.accessioned2013-12-29T17:24:32Z
dc.date.available2013-12-29T17:24:32Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractЭкспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда).uk_UA
dc.description.abstractЕкспериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. Змінюючи параметри технологічного процесу вирощування, можна отримати шари з необхідною рухливістю і концентрацією носіїв заряду.·uk_UA
dc.description.abstractThe correlation between mobility and carriers concentration and growth's conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth s process.uk_UA
dc.identifier.citationКорреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52313
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleКорреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращиванияuk_UA
dc.title.alternativeКореляція параметрів арсенiд-галієвих епітаксійних шарів і технології їх вирощуванняuk_UA
dc.title.alternativeThe correlation between parameters of gallium arsenic epitaxy layers and technology of growth's processuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
11-Karimov.pdf
Розмір:
113.7 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009, № 5