Исследование фазовых переходов в кремнии методами сканирующей туннельной спектроскопии и наноиндентирования

Abstract

Представлены результаты экспериментов по наноцарапанию и наноиндентированию поверхности кремния с использованием сканирующего туннельного микроскопа, оснащенного полупроводниковым алмазным зондом. Обсуждены физические явления в кремнии, возникающие при различных уровнях контактного давления.Представлено результати експериментів з нанодряпання та наноіндентування поверхні кремнію з використанням скануючого тунельного мікроскопа, оснащеного напівпровідниковим алмазним вістрям. Обговорено фізичні явища в кремнії, що виникають при різних рівнях контактного тиску.Results of experiments on silicon samples that include nanoscratching and nanoindantation, using the scanning tunelling microscope with conductive diamond tip are presented. Physical phenomena in the silicon arising from different levels of the contact pressure are discussed.