Влияние добавки нитрида бора на образование и свойства сегнетоэлектрической полупроводниковой керамики на основе метатитаната бария–стронция

dc.contributor.authorВьюнов, О.И.
dc.contributor.authorДурилин, Д.A.
dc.contributor.authorКоваленко, Л.Л.
dc.contributor.authorБелоус, А.Г.
dc.date.accessioned2022-10-09T08:27:47Z
dc.date.available2022-10-09T08:27:47Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractПолучена сегнетоэлектрическая полупроводниковая керамика на основе метатитаната бария-стронция с добавкой нитрида бора, изучены ее микроструктура и электрофизические свойства. Определены концентрационные пределы стронция и нитрида бора, в которых керамика является низкоомной и проявляет эффект положительного температурного коэффициента сопротивления при относительно низкой температуре (≈ 60—70 °С). Исследована зависимость электрофизических свойств от химического состава синтезированной керамики.uk_UA
dc.description.abstractОтримано сегнетоелектричну напівпровідникову кераміку на основі метатитанату барію-стронцію з домішкою нітриду бору, вивчені її мікроструктура та електрофізичні властивості. Досліджено концентраційні межі стронцію та нітриду бору, в яких кераміка є низькоомною і проявляє ефект позитивного температурного коефіцієнта опору при відносно низькій температурі (≈ 60—70 °С).uk_UA
dc.description.abstractFerroelectrics-semiconductors based on barium-strontium titanate doped with boron nitride have been synthesized. Microstructure and electrophysical properties of synthesized ceramics have been studied. Concentration ranges of strontium and boron nitride, within which ceramics have low resistivity at room temperature and positive temperature coefficient of resistivity in the temperature range above Т ≈ 60—70 °С, have been determined.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние добавки нитрида бора на образование и свойства сегнетоэлектрической полупроводниковой керамики на основе метатитаната бария–стронция / О.И. Вьюнов, Д.A. Дурилин, Л.Л. Коваленко, А.Г. Белоус // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 8. — С. 76-80. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0041–6045
dc.identifier.udc621.315.592:54-185
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185758
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofУкраинский химический журнал
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНеорганическая и физическая химияuk_UA
dc.titleВлияние добавки нитрида бора на образование и свойства сегнетоэлектрической полупроводниковой керамики на основе метатитаната бария–стронцияuk_UA
dc.title.alternativeВплив добавки нітриду бору на утворення та властивості сегнетоелектричної напівпровідникової кераміки на основі метатитанату барію–стронціюuk_UA
dc.title.alternativeEffect of boron nitride on formation and properties of ferroelectric semiconductor ceramic based on barium–strontium metatitanateuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
03-Vjunov.pdf
Розмір:
246.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: