Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДобровольский, Ю.Г.
dc.date.accessioned2017-07-19T12:42:05Z
dc.date.available2017-07-19T12:42:05Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractМетод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков.uk_UA
dc.description.abstractThe method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites.uk_UA
dc.identifier.citationИспользование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udcКачество и надежность аппаратуры
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122734
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleИспользование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластинuk_UA
dc.title.alternativeВикористання ефекту Кірліан для контроля якості напівпровідникових пластинuk_UA
dc.title.alternativeThe use of Kirlian effect for control of semiconductor waferuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Dobrovolsky.pdf
Розмір:
118.35 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1999, № 5-6