Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВенгель, П.Ф.
dc.contributor.authorТомашик, В.Н.
dc.contributor.authorМизецкая, И.Б.
dc.date.accessioned2022-02-03T18:07:43Z
dc.date.available2022-02-03T18:07:43Z
dc.date.issued1983
dc.description.abstractНа основе HgTe исследовано незначительное число систем, хотя полупроводниковые материалы на базе теллурида ртути находят все более широкое применение в современной полупроводниковой технике. Цель настоящей работы - изучить методами физико-химического анализа диаграмму состояния системы HgTe-SпТе.uk_UA
dc.identifier.citationФизика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe / П.Ф. Венгель, В.Н. Томашик, И.Б. Мизецкая // Украинский химический журнал. — 1983. — Т. 49, № 12. — С. 1247-1250. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0041–6045
dc.identifier.udc546.49'24+546.811'24
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/183136
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofУкраинский химический журнал
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНеорганическая и физическая химияuk_UA
dc.titleФизика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTeuk_UA
dc.title.alternativePhysicochemical Interaction in the HgTe-SnTe Systemuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
04-Vengel.pdf
Розмір:
569.76 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Украинский химический журнал, 1983 (том 49), № 12