Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorDovbnya, A.N.
dc.contributor.authorYefimov, V.P.
dc.contributor.authorAbyzov, A.S.
dc.contributor.authorRybka, A.V.
dc.contributor.authorZakutin, V.V.
dc.contributor.authorReshetnyak, N.G.
dc.contributor.authorBlinkin, A.A.
dc.contributor.authorRomas’ko, V.P.
dc.date.accessioned2016-03-17T20:23:42Z
dc.date.available2016-03-17T20:23:42Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractQuantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are presented.uk_UA
dc.description.abstractСформованi в монокристалiчнiй матрицi кремнiю квантовi структури з пiдвищеною питомою електричною провiднiстю. Масив квантових ниток покращує виведення носiїв заряду з малою рухливiстю з об’єму емiтерної структури c−Si(p, n) -фотопреобразователя. Приведено експериментальнi результати застосування радiацiйних технологiй для створення таких структур.uk_UA
dc.description.abstractСформированы в монокристаллической матрице кремния квантовые структуры с повышенной удельной электрической проводимостью. Массив квантовых нитей улучшает выведение носителей заряда с малой подвижностью из объема эмиттерной структуры c − Si(p, n)-фотопреобразователя. Приведены экспериментальные результаты применения радиационных технологий для создания таких структур.uk_UA
dc.identifier.citationProcedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.otherPACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96509
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЯдернo-физические методы и обработка данныхuk_UA
dc.titleProcedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal siliconuk_UA
dc.title.alternativeМетодика формування нанорозмiрних аморфно-мiкрокристалевих структур в монокристалiчному кремнiї випромiнюванням  uk_UA
dc.title.alternativeМетодика формирования наноразмерных аморфно-микрокристаллических структур в монокристаллическом кремнии излучениемuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
55-Dovbnya.pdf
Розмір:
1.08 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2009, № 5