Radiation-induced processes and defects in purified CsI crystals

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorGarapyn, I.
dc.contributor.authorPavlyk, B.
dc.contributor.authorTsybulyak, B.
dc.date.accessioned2018-06-16T13:20:14Z
dc.date.available2018-06-16T13:20:14Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractDefect formation processes under γ-ray irradiation (up to doses of 10⁴-5*10⁶ Gy) in purified Csl crystals have been studied using the electric conductivity measurements, optical absorption spectra and the thermostimulated depolarization currents. The processes of accumulation and destruction of defects have been found to run in different manners depending on the γ-irradiation dose. Starting from a dose of 10⁵ Gy, the γ-irradiation affects appreciably the defect structure of the purified cesium iodide crystals.uk_UA
dc.identifier.citationRadiation-induced processes and defects in purified CsI crystals / I. Garapyn, B. Pavlyk, B. Tsybulyak // Functional Materials. — 2007. — Т. 14, № 3. — С. 309-312. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/136529
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleRadiation-induced processes and defects in purified CsI crystalsuk_UA
dc.title.alternativeРадіаційно-індуковані процеси та дефекти в очещених кристалах CsIuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
05-Garapyn.pdf
Розмір:
188.4 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Functional Materials, 2007, № 3