Effect of stripe domain structure orientation on secondary electron yield

dc.contributor.authorMelnichuk, I.A.
dc.contributor.authorVasko, E.I.
dc.contributor.authorMelnychuk, P.I.
dc.date.accessioned2018-06-20T12:52:57Z
dc.date.available2018-06-20T12:52:57Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractSpatial and angular distributions of secondary electrons emitted from a uniaxial Co film surface with magnetization normal to the surface have been calculated. The electron energy has been chosen within 2 to 5 eV range (the main maximum of the energy spectrum) and at 100 eV (Auger electrons). It has been shown that the regular stripe domain structure must result in an anisotropic spatial distribution of electrons escaped from the surface and reduced secondary electron yield at small escape angles. This phenomenon is similar to the escape blocking effect at the interaction of accelerated particles with single crystals.uk_UA
dc.description.abstractРассчитаны пространственные и угловые распределения вторичных электронов, эмитированных с поверхности одноосной пленки Co с намагниченностью, перпендикулярной поверхности. Энергия электронов выбиралась в интервалах 2-5 эВ (основной максимум энергетического спектра) и 100 эВ (Оже электроны). Показано, что наличие регулярной полосовой доменной структуры должно приводить к анизотропии пространственного распределения электронов, покинувших поверхность и уменьшению выхода вторичных электронов при малых значениях углов вылета. Это явление аналогично эффекту блокировки выхода при взаимодействии ускоренных частиц с монокристаллами.uk_UA
dc.description.abstractРозраховано просторові та кутові розподіли вторинних єлєктронів, що емітовані з повєрхні одновісної плівки Co з намагніченістю перепендикулярною до поверхні. Енергію електронів вибрано у інтервалах 2-5 еВ (основний максимум енергетичного спектра) та 100 еВ (Оже електрони). Показано, що наявність регулярної смугової доменної структури має приводити до анізотропії просторового розподілу електронів, які вийшли з поверхні та зменшенню виходу вторинних електронів при малих кутах вильоту. Це явище є аналогічним до ефекту блокіровки виходу при взаємодії прискорених часток з монокристалами.uk_UA
dc.identifier.citationEffect of stripe domain structure orientation on secondary electron yield / I.A. Melnichuk, E.I. Vasko, P.I. Melnychuk // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 476-479. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139448
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleEffect of stripe domain structure orientation on secondary electron yielduk_UA
dc.title.alternativeВплив орієнтації смугової доменної структури на вихід вторинних електронівuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
08-Melnichuk.pdf
Розмір:
210.4 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: