Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorAlisultanov, Z.Z.
dc.date.accessioned2017-05-30T19:14:45Z
dc.date.available2017-05-30T19:14:45Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractIn this paper we have investigated thermoelectric effect in the epitaxial graphene on a semiconductor substrate using a simple model. We have obtained the expressions for static conductance and thermopower of the epitaxial graphene. The thermopower of the epitaxial graphene can be abnormally large near the edges of the semiconductor band gap.uk_UA
dc.description.sponsorshipAuthor thanks the Federal Lezghin National and Cultural Autonomy (FLNCA) for the support and A.A. Varlamov for useful discussion.uk_UA
dc.identifier.citationThermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model / Z.Z. Alisultanov // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 7. — С. 767–770. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn0132-6414
dc.identifier.otherPACS: 68.43.–h, 72.80.Vp, 65.80.Ck
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118667
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЭлектронные свойства проводящих системuk_UA
dc.titleThermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical modeluk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
03-Alisultanov.pdf
Розмір:
239.67 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Физика низких температур, 2013, № 07