ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением

dc.contributor.authorРева, В.П.
dc.contributor.authorКоринец, С.В.
dc.contributor.authorГоленков, А.Г.
dc.contributor.authorСапон, С.В.
dc.contributor.authorТорчинский, А.М.
dc.contributor.authorЗабудский, В.В.
dc.contributor.authorСизов, Ф.Ф.
dc.date.accessioned2017-07-16T18:00:51Z
dc.date.available2017-07-16T18:00:51Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractОписаны принципы работы фотоматриц видимого излучения и ближнего инфракрасного диапазона, спроектированных на основе приборов с зарядовой связью с электронным умножением (ПЗС-ЭУ), и обсуждена архитектура построения таких матриц. Приведено краткое описание технологии изготовления фотоматриц ПЗС-ЭУ, а также некоторые параметры спроектированных и изготовленных экспериментальных образцов фотоматриц формата 640×512.uk_UA
dc.description.abstractОписано принципи роботи фотоматриці видимого випромінювання і ближнього інфрачервоного діапазону, спроектованих на основі приладів із зарядним зв'язком з електронним множенням (ПЗЗ-ЕМ), та обговорено архітектуру побудови таких матриць. Наведено короткий опис технології виготовлення фотоматриці ПЗЗ-ЕМ, а також деякі параметри спроектованих і виготовлених експериментальних зразків фотоматриці формату 640×512.uk_UA
dc.description.abstractElectron multiplication charge coupled devices (EMCCD) technology is an innovation first introduced slightly more than a decade ago. The EMCCD is an image sensor that is capable of detecting an isolated photon without an image intensifier. It is achieved by electron multiplication circuit that is built in the chip of ordinary CCD. Cameras with EMCCD arrays overcome limitations of getting high sensitivity with high frame rate. Traditional CCD cameras can be highly sensitive in the visible part of spectrum but at the expense of low frame rate. EMCCD can operate at very faint illumination conditions both in visible and near infrared regions. The paper presents a short technological description of EMCCD 640×512 arrays manufacturing and some parameters of the arrays that were designed and manufactured. It was shown that multiplication coefficient depends much on applied amplification voltage and can achieve 1000. Also it is shown that images can be obtained at low illumination conditions (illumination at EMCCD is near 5∙10⁻⁴ lx).uk_UA
dc.identifier.citationПЗС-фотоматрицы с электронным умножением / В.П. Рева, С.В. Коринец, А.Г. Голенков, С.В. Сапон, А.М. Торчинский, В.В. Забудский, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 1-2. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.otherDOI: 10.15222/TKEA2017.1-2.33
dc.identifier.udc621.383.72
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122668
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleПЗС-фотоматрицы с электронным умножениемuk_UA
dc.title.alternativeПЗЗ-фотоматриці з електронним множеннямuk_UA
dc.title.alternativeCCD photomatrixes with electron multiplicationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
06-RevaNEW.pdf
Розмір:
624.52 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: