Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками

dc.contributor.authorПавлович, І.І.
dc.contributor.authorКопил, О.І.
dc.contributor.authorТомашик, В.М.
dc.date.accessioned2017-04-07T19:24:57Z
dc.date.available2017-04-07T19:24:57Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractПроведено експериментальні дослідження залежностей термоЕРС і електропровідності р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ та n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, вирощених методом вертикальної зонної плавки, залежно від рівня легування синтезованих зливків. Встановлено, що збільшення співвідношення кількості носіїв заряду, утворених домішками (Pb, I), відносно інших дефектів, у тому числі й антиструктурних, сприяє збільшенню термоелектричної ефективності (α²σ) і зменшує термічну деградацію матеріалу за робочих температур гарячого спаю генератора ~650 К. Показано, що у разі легування свинцем p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ масовою часткою понад 0,6 %, відбувається насичення. Використання такого матеріалу для створення термоелектричних генераторів дало можливість збільшити коефіцієнт корисної дії модуля на 18 %.uk_UA
dc.description.abstractThe experimental investigation of dependencies of the thermal electromotive force and electroconductivity of р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ and n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, grown by the vertical zone melting, depending on doping of the synthesized ingots has been carried out. It was established that an increase of the ratio of charge carriers, formed by the impurities (Pb, I), with respect to other defects, including antisite defects, leads to the increase of thermoelectric efficiency (α²σ) and a decrease of the material thermal degradation at the working temperature of the hot generator junction ~650 К. It was shown that the doping of the p- (Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ by lead higher than 0,6 % mass. % leads to the saturation. The use of such materials for manufacturing the thermoelectric generator allows to increase the module efficiency by 18 %.uk_UA
dc.identifier.citationЛегування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками / І. І. Павлович, О. І. Копил, В. М. Томашик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 117-121. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn0233-7577
dc.identifier.udc612.315.592.546.28
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115607
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofОптоэлектроника и полупроводниковая техника
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleЛегування термоелектричного матеріалу електроактивними домішкамиuk_UA
dc.title.alternativeDoping of thermoelectric material by electroactive impuritiesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
14-Pavlovych.pdf
Розмір:
383.83 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: