Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorNikolenko, A.S.
dc.contributor.authorKondratenko, S.V.
dc.contributor.authorVakulenko, O.V.
dc.date.accessioned2017-06-14T17:23:27Z
dc.date.available2017-06-14T17:23:27Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractPhotovoltaic properties of Si samples with Ge quantum dots were studied. Photosensitivity spectra and current-voltage characteristics at 90 and 290 K were investigated. Negative photoconductivity of samples was revealed in the spectral range of 0.6 to 1.1 eV. Irregular temperature dependence of photo-emf in the temperature interval from 100 to 250 K was measured and analyzed.uk_UA
dc.identifier.citationPhotoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots / A.S. Nikolenko, S.V. Kondratenko, O.V. Vakulenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 73.63.-8, 73.63.Kv
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121590
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titlePhotoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dotsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Nikolenko.pdf
Розмір:
134.23 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, № 1