Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВакив, Н.М.
dc.contributor.authorЗавербный, И.Р.
dc.contributor.authorЗаячук, Д.М.
dc.contributor.authorКруковский, С.И.
dc.contributor.authorМрыхин, И.О.
dc.date.accessioned2014-01-23T00:05:37Z
dc.date.available2014-01-23T00:05:37Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractОписана разработанная установка и методика электрохимического профилирования многослойных эпитаксиальных структур n-GaAs.uk_UA
dc.identifier.citationУстановка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs / Н.М. Вакив, И.Р. Завербный, Д.М. Заячук, С.И. Круковский, И.О. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 40-45. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53574
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНовое технологическое оборудование для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleУстановка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAsuk_UA
dc.title.alternativeУстановка електрохімічного профілювання для діагностування епітаксійних структурuk_UA
dc.title.alternativeThe electrochemical profiling arrangement for diagnostics of GaAs semiconductor structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
12-Vakiv.pdf
Розмір:
146.46 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 3