Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSavchyn, V.P.
dc.contributor.authorStakhira, J.M.
dc.contributor.authorFiyala, Ya.M.
dc.contributor.authorFurtak, V.B.
dc.date.accessioned2017-06-13T16:44:18Z
dc.date.available2017-06-13T16:44:18Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractCascade heterostructure of nGa₂O₃-pGaSe-pInSe was created, and a corresponding band energy diagram was built. Electrical and photoelectric properties of this structure were investigated. Due to isotype pGaSe-pInSe heterojunction the photosensitivity spectrum of nGa₂O₃-pGaSe-pInSe heterostructure extends up to 1.2 eV in IR range as referred to the photosensitivity spectrum of anisotype nGa₂O₃-pGaSe heterojunction.uk_UA
dc.identifier.citationPhotoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures / V.P. Savchyn, J.M. Stakhira, Ya.M. Fiyala, V.B. Furtak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 176-179. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 72.40, 74.40
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121192
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titlePhotoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
09-Savchyn.pdf
Розмір:
330.78 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, № 2