Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГлушко, П.И.
dc.contributor.authorЖуравлёв, А.Ю.
dc.contributor.authorКапустин, В.Л.
dc.contributor.authorЛевенец, В.В.
dc.contributor.authorСеменов, Н.А.
dc.contributor.authorХованский, Н.А.
dc.contributor.authorШеремет, В.И.
dc.contributor.authorШироков, Б.М.
dc.contributor.authorШиян, А.В.
dc.date.accessioned2015-04-09T08:15:21Z
dc.date.available2015-04-09T08:15:21Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractРазработан и изготовлен сублимационный источник атомов для нанесения плёнок методом молекулярно- лучевой эпитаксии. С использованием сублимационного источника получены эпитаксиальные кремний- германиевые пленки с различным содержанием германия.uk_UA
dc.description.abstractРозроблено і виготовлено сублімаційне джерело атомів для нанесення плівок методом молекулярно- променевої епітаксії. З використанням сублімаційного джерела отримано епітаксійні кремній-германієві плівки з різним вмістом германію.uk_UA
dc.description.abstractThe atom sublimation source for application the films by molecular beam epitaxy method is developed and made. The epitaxial silicon-germanium films with different germanium content were obtained with the help of sublimation source.uk_UA
dc.identifier.citationСублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, В.Л. Капустин, В.В. Левенец, Н.А. Семенов, Н.А. Хованский, В.И. Шеремет, Б.М. Широков, А.В. Шиян // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 167-169. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc669.094.54:661.87.621:661.668
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79936
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФизика и технология конструкционных материаловuk_UA
dc.titleСублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнокuk_UA
dc.title.alternativeСублімаційне джерело для нанесення епітаксійних Si-Ge-плівокuk_UA
dc.title.alternativeSublimation source for application the epitaxial Si-Ge filmsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
37-Glushko.pdf
Розмір:
287.08 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Стаття
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2014, № 1