Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBalitskii, O.A.
dc.contributor.authorSavchyn, V.P.
dc.contributor.authorSavchyn, P.V.
dc.contributor.authorFiyala, Ya.M.
dc.date.accessioned2018-06-14T09:12:10Z
dc.date.available2018-06-14T09:12:10Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractThe oxidation processes of indium and gallium monotellurides have been discussed. The oxidation has been established to result in formation of additional phases with higher tellurium content, namely, gallium and indium sesquitellurides, respectively.uk_UA
dc.description.abstractИсслeдован фазовый состав приповeрхностных слоeв тeрмичeски оксидированных на воздухe монокристаллов GaTe и lnTe. Установлeно, что оксидированиe сопровождаeтся образованиeм дополнитeльно фазы с большим содeржаниeм тeллура - полуторатeллу- ридов Галлия и индия соотвeтствeнно.uk_UA
dc.identifier.citationPhase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air / O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, P.V. Savchyn, Ya.M. Fiyala // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 206-211. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134813
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titlePhase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in airuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
04-Balitskii.pdf
Розмір:
265.34 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Functional Materials, 2005, № 2